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SI4435DY est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4435DY | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4435DYFSTR-ND - Bande et bobine SI4435DYFSCT-ND - Bande coupée (CT) SI4435DYFSDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4435DY |
Description | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 8,8 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4435DY Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 20mohms à 8,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 24 nC @ 5 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1604 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,5W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
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3 Articles
France