Name: SVD5867NLT4G
Brand: onsemi
SKU: SVD5867NLT4GOSTR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: OutOfStock

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SVD5867NLT4G
Numéro de produit DigiKey	SVD5867NLT4GOSTR-ND - Bande et bobine SVD5867NLT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) SVD5867NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	SVD5867NLT4G
Description	MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 22 A (Tc) 3,3W (Ta), 43W (Tc) Montage en surface DPAK-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SVD5867NLT4G Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	39mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	675 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,3W (Ta), 43W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	SVD5867

Prix unitaire sans TVA:	0,82000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,98400 €

SVD5867NLT4G