PJD10P10A_L2_00001 Panjit International Inc. | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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PJD10P10A_L2_00001
Numéro de produit DigiKey	3757-PJD10P10A_L2_00001TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Panjit International Inc.
Numéro de produit du fabricant	PJD10P10A_L2_00001
Description	100V P-CHANNEL MOSFET
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 2A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 54W (Tc) Montage en surface TO-252AA

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Panjit International Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2A (Ta), 10A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	210mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1419 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 54W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	PJD10