Name: PJD25N10A_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJD25N10A_L2_00001TR-ND
Price: 0.924 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

PJD25N10A_L2_00001
Numéro de produit DigiKey	3757-PJD25N10A_L2_00001TR-ND - Bande et bobine 3757-PJD25N10A_L2_00001CT-ND - Bande coupée (CT) 3757-PJD25N10A_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Panjit International Inc.
Numéro de produit du fabricant	PJD25N10A_L2_00001
Description	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4,4A (Ta), 25A (Tc) 2W (Ta), 60W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Panjit International Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,4A (Ta), 25A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3601 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	PJD25