RJK1555DPA-00#J0 Renesas Corporation | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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RJK1555DPA-00#J0
Numéro de produit DigiKey	RJK1555DPA-00#J0TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	RJK1555DPA-00#J0
Description	MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 25 A (Ta) 30W (Tc) Montage en surface 8-WPAK (3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RJK1555DPA-00#J0 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	48mohms à 12,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-WPAK (3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	RJK1555

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Devis du fabricant requis

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