8-PowerWDFN
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RJK2057DPA-00#J0

Numéro de produit DigiKey
RJK2057DPA-00#J0-ND - Bande et bobine
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
RJK2057DPA-00#J0
Description
MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 20 A (Ta) 30W (Tc) Montage en surface 8-WPAK (3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RJK2057DPA-00#J0 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
85mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1250 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-WPAK (3)
Boîtier
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
RJK2057
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Devis du fabricant requis
Ce produit doit faire l'objet d'un devis approuvé par le fabricant avant de pouvoir être commandé. Les commandes doivent respecter la quantité de conditionnement standard du fabricant, elles peuvent être soumises à des délais d'approvisionnement étendus et elles ne sont ni annulables ni retournables. Les devis sont généralement traités dans les 3 à 5 jours ouvrables suivant leur réception.
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