LDPAK
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LDPAK
LDPAK

RJK6012DPE-00#J3

Numéro de produit DigiKey
RJK6012DPE-00#J3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant
RJK6012DPE-00#J3
Description
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 10 A (Ta) 100W (Tc) Montage en surface LDPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RJK6012DPE-00#J3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Renesas Electronics Corporation
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
920mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1100 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
LDPAK
Boîtier
SC-83
Numéro de produit de base
RJK6012
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Devis du fabricant requis
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