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RQJ0303PGDQA#H6 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
RQJ0303PGDQA#H6 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RQJ0303PGDQA#H6-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RQJ0303PGDQA#H6 |
Description | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 3,3 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface 3-MPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RQJ0303PGDQA#H6 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 68mohms à 1,6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | +10V, -20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 625 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 800mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 3-MPAK | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
France