UPA1919TE-T1-AT Renesas Corporation | Transistors - FET, MOSFET - Simples

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

UPA1919TE-T1-AT
Numéro de produit DigiKey	UPA1919TE-T1-AT-ND - Bande et bobine
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	UPA1919TE-T1-AT
Description	MOSFET P-CH 20V SC-95
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 6 A (Ta) Montage en surface SC-95-6, mini moule fin
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	58mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6 nC @ 4 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	680 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-95-6, mini moule fin
Boîtier	SC-95-6