FCU900N60Z est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FCU900N60Z
Numéro de produit DigiKey	FCU900N60Z-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCU900N60Z
Description	MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 4,5 A (Tc) 52W (Tc) Trou traversant IPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FCU900N60Z Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® II
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	900mohms à 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	710 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	IPAK
Boîtier	TO-251-3 broches courtes, IPAK
Numéro de produit de base	FCU900