FQPF19N20 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQPF19N20
Numéro de produit DigiKey	FQPF19N20-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQPF19N20
Description	MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 11,8 A (Tc) 50W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQPF19N20 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 5,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1600 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220F-3
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	FQPF19