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Infineon Technologies

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Fiche technique

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IPA80R1K4CEXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPA80R1K4CEXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA80R1K4CEXKSA1
Description	MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 2,8 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ CE
Conditionnement	Tube
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,4ohms à 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 240µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	570 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	31W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-FP
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	IPA80R

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