PG-TO220-FP
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IPAN60R650CEXKSA1

Numéro de produit DigiKey
IPAN60R650CEXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPAN60R650CEXKSA1
Description
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 9,9 A (Tc) 28W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPAN60R650CEXKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
650mohms à 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
440 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
28W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO220-FP
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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