IPAW60R280CEXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Rochester Electronics, LLC
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Fiche technique
PG-TO-220-FP
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IPAW60R280CEXKSA1

Numéro de produit DigiKey
IPAW60R280CEXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPAW60R280CEXKSA1
Description
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 19,3 A (Tc) 32W (Tc) Trou traversant PG-TO220 Full Pack, large fuite en surface
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
280mohms à 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 430µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
950 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO220 Full Pack, large fuite en surface
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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