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IPP65R190E6XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP65R190E6XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP65R190E6XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	190mohms à 7,3 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 730µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1620 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	151W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP65R190