Name: BR25G512FVT-3GE2
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BR25G512FVT-3GE2TR-ND
Price: 0.924 EUR
Availability: InStock

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BR25G512FVT-3GE2
Numéro de produit DigiKey	BR25G512FVT-3GE2TR-ND - Bande et bobine BR25G512FVT-3GE2CT-ND - Bande coupée (CT) BR25G512FVT-3GE2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BR25G512FVT-3GE2
Description	IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	EEPROM Mémoire IC 512Kb SPI 10 MHz 8-TSSOP-B
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BR25G512FVT-3GE2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Mémoire Mémoire
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Programmable DigiKey	Non vérifié
Type de mémoire	Non volatile
Format mémoire	EEPROM
Technologies	EEPROM
Taille mémoire	512Kb
Organisation de la mémoire	64K x 8
Interface mémoire	SPI
Fréquence d'horloge	10 MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page	5ms
Tension - Alimentation	1,8V ~ 5,5V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)
Boîtier fournisseur	8-TSSOP-B
Numéro de produit de base	BR25G512

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Bande et bobine

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Bande coupée (CT)

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