Name: BSS670AHZGT116
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSS670AHZGT116TR-ND
Price: 0.576 EUR
Availability: OutOfStock

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BSS670AHZGT116
Numéro de produit DigiKey	846-BSS670AHZGT116TR-ND - Bande et bobine 846-BSS670AHZGT116CT-ND - Bande coupée (CT) 846-BSS670AHZGT116DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSS670AHZGT116
Description	NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) Montage en surface SST3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	650mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	680mohms à 650mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 10µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	47 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	200mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SST3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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