Name: HS8K1TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K1TBTR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

HS8K1TB
Numéro de produit DigiKey	HS8K1TBTR-ND - Bande et bobine HS8K1TBCT-ND - Bande coupée (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	HS8K1TB
Description	MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface HSML3030L10
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,6mohms à 10A, 10V, 11,8mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6nC à 10V, 7,4nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	348pF à 15V, 429pF à 15V
Puissance - Max.	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-UDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	HSML3030L10
Numéro de produit de base	HS8K1