Name: HT8KE6TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KE6TB1TR-ND
Price: 2.232 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

HT8KE6TB1
Numéro de produit DigiKey	846-HT8KE6TB1TR-ND - Bande et bobine 846-HT8KE6TB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-HT8KE6TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	HT8KE6TB1
Description	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 4,5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	57mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6,7nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	305pF à 50V
Puissance - Max.	2W (Ta), 14W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerVDFN
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)