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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
QS8J12TCR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | QS8J12TCR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | QS8J12TCR |
Description | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 12V 4,5A 550mW Montage en surface TSMT8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Rohm Semiconductor | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique, attaque 1,5V | |
Tension drain-source (Vdss) | 12V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4,5A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 29mohms à 4,5A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 40nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4200pF à 6V | |
Puissance - Max. | 550mW | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SMD, broches plates | |
Boîtier fournisseur | TSMT8 | |
Numéro de produit de base |
Devis du fabricant requis
Ce produit doit faire l'objet d'un devis approuvé par le fabricant avant de pouvoir être commandé. Les commandes doivent respecter la quantité de conditionnement standard du fabricant, elles peuvent être soumises à des délais d'approvisionnement étendus et elles ne sont ni annulables ni retournables. Les devis sont généralement traités dans les 3 à 5 jours ouvrables suivant leur réception.
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