Name: R6011KNX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6011KNX-ND
Price: 2.532 EUR
Availability: OutOfStock

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R6011KNX
Numéro de produit DigiKey	R6011KNX-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	R6011KNX
Description	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 11 A (Tc) 53W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	R6011KNX Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	390mohms à 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	740 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	53W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220FM
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	R6011

Prix unitaire sans TVA:	2,11000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,53200 €

R6011KNX