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R6030MNX

Numéro de produit DigiKey
R6030MNX-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
R6030MNX
Description
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 30 A (Tc) 90W (Tc) Trou traversant TO-220FM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
R6030MNX Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
150mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2180 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
90W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220FM
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
R6030
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Devis du fabricant requis
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