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RB098BM-40FNSTL
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RCD080N25TL

Numéro de produit DigiKey
RCD080N25TLTR-ND - Bande et bobine
RCD080N25TLCT-ND - Bande coupée (CT)
RCD080N25TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RCD080N25TL
Description
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
Référence client
Description détaillée
Canal N 250 V 8 A (Ta) 850mW (Ta), 20W (Tc) Montage en surface CPT3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RCD080N25TL Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
300mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1440 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
CPT3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
RCD080
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Dernière disponibilité
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Date de dernière disponibilité : 31/03/2027