Name: RD3L150SNTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3L150SNTL1TR-ND
Price: 1.656 EUR
Availability: OutOfStock

RD3L150SNTL1 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 0

Prix unitaire : 0,00000 €

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 0

Prix unitaire : 1,10000 €

Similaire

onsemi

En stock: 0

Prix unitaire : 1,57000 €

Similaire

Vishay Siliconix

En stock: 177

Prix unitaire : 1,34000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RD3L150SNTL1
Numéro de produit DigiKey	RD3L150SNTL1TR-ND - Bande et bobine RD3L150SNTL1CT-ND - Bande coupée (CT) RD3L150SNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3L150SNTL1
Description	MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 15 A (Ta) 20W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RD3L150SNTL1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	930 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	20W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	RD3L150