Name: RJP020N06T100
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RJP020N06T100TR-ND
Price: 1.428 EUR
Availability: InStock

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RJP020N06T100
Numéro de produit DigiKey	RJP020N06T100TR-ND - Bande et bobine RJP020N06T100CT-ND - Bande coupée (CT) RJP020N06T100DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RJP020N06T100
Description	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface MPT3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RJP020N06T100 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	240mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 4 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	160 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	MPT3
Boîtier	TO-243AA
Numéro de produit de base	RJP020