Name: RQ1C065UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1C065UNTR-ND
Price: 0.84 EUR
Availability: OutOfStock

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RQ1C065UNTR
Numéro de produit DigiKey	RQ1C065UNTR-ND - Bande et bobine RQ1C065UNCT-ND - Bande coupée (CT) RQ1C065UNDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ1C065UNTR
Description	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 6,5 A (Ta) 700mW (Ta) Montage en surface TSMT8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ1C065UNTR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 6,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	870 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSMT8
Boîtier	8-SMD, broches plates
Numéro de produit de base	RQ1C065

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