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RQ3E120ATTB
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RQ3E120ATTB
8 HSMT
ROHM MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | Digi-Key Daily

RQ3E100MNTB1

Numéro de produit DigiKey
846-RQ3E100MNTB1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RQ3E100MNTB1
Description
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Modèles EDA/CAO
RQ3E100MNTB1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
12,3mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
520 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-HSMT (3,2x3)
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E100
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Disponible sur commande
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Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,40283 €1 208,49 €
6 0000,37535 €2 252,10 €
9 0000,37057 €3 335,13 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,40283 €
Prix unitaire avec TVA:0,48340 €