


RQ3E120ATTB | |
---|---|
Numéro de produit DigiKey | RQ3E120ATTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E120ATTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E120ATTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RQ3E120ATTB |
Description | MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 12 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RQ3E120ATTB Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 8mohms à 12A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 62 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 3200 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2W (Ta) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-HSMT (3,2x3) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
1 | 0,99000 € | 0,99 € |
10 | 0,62000 € | 6,20 € |
100 | 0,40660 € | 40,66 € |
500 | 0,31520 € | 157,60 € |
1 000 | 0,28576 € | 285,76 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
3 000 | 0,27102 € | 813,06 € |
6 000 | 0,21994 € | 1 319,64 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,99000 € |
---|---|
Prix unitaire avec TVA: | 1,18800 € |