Name: RQ3G110ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G110ATTBTR-ND
Price: 2.232 EUR
Availability: OutOfStock

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RQ3G110ATTB
Numéro de produit DigiKey	846-RQ3G110ATTBTR-ND - Bande et bobine 846-RQ3G110ATTBCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RQ3G110ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3G110ATTB
Description	PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 11 A (Ta), 35 A (Tc) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta), 35 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12,4mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2750 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	RQ3G110