RQ3P300BETB1 Rohm | Transistors - FET, MOSFET - Simples

RQ3P300BETB1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 1,19000 €

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RQ3P300BETB1
Numéro de produit DigiKey	RQ3P300BETB1TR-ND - Bande et bobine RQ3P300BETB1CT-ND - Bande coupée (CT) RQ3P300BETB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3P300BETB1
Description	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Modèles EDA/CAO	RQ3P300BETB1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta), 36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	21mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1250 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 32W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSMT (3,2x3)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	RQ3P300