Name: RQ6E030SPTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E030SPTR-ND
Price: 0.768 EUR
Availability: OutOfStock

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RQ6E030SPTR
Numéro de produit DigiKey	RQ6E030SPTR-ND - Bande et bobine RQ6E030SPCT-ND - Bande coupée (CT) RQ6E030SPDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ6E030SPTR
Description	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 3 A (Ta) 950mW (Ta) Montage en surface TSMT6 (SC-95)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	440 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	950mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	RQ6E030

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