Name: RQ6E050AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E050AJTCRTR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: OutOfStock

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RQ6E050AJTCR
Numéro de produit DigiKey	RQ6E050AJTCRTR-ND - Bande et bobine RQ6E050AJTCRCT-ND - Bande coupée (CT) RQ6E050AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ6E050AJTCR
Description	MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 5 A (Ta) 950mW (Ta) Montage en surface TSMT6 (SC-95)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	520 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	950mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	RQ6E050

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