Name: RS1G120MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G120MNTBTR-ND
Price: 0.864 EUR
Availability: OutOfStock

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RS1G120MNTB
Numéro de produit DigiKey	RS1G120MNTBTR-ND - Bande et bobine RS1G120MNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RS1G120MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS1G120MNTB
Description	MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 12 A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS1G120MNTB Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	16,2mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	570 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSOP
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	RS1G

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