Name: RS1L180GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1L180GNTBTR-ND
Price: 3.012 EUR
Availability: OutOfStock

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RS1L180GNTB
Numéro de produit DigiKey	RS1L180GNTBTR-ND - Bande et bobine RS1L180GNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RS1L180GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS1L180GNTB
Description	MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 18A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18A (Ta), 68A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,6mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3230 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSOP
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	RS1L