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2SAR572DGTL
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RSD175N10TL

Numéro de produit DigiKey
RSD175N10TLTR-ND - Bande et bobine
RSD175N10TLCT-ND - Bande coupée (CT)
RSD175N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
RSD175N10TL
Description
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 17,5 A (Ta) 20W (Tc) Montage en surface CPT3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
RSD175N10TL Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
17,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
105mohms à 8,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
950 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
CPT3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
RSD175
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Dernière disponibilité
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Date de dernière disponibilité : 31/03/2027