Name: RY7P250BMTBC
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RY7P250BMTBCTR-ND
Price: 8.616 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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RY7P250BMTBC
Numéro de produit DigiKey	846-RY7P250BMTBCTR-ND - Bande et bobine 846-RY7P250BMTBCCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RY7P250BMTBCDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RY7P250BMTBC
Description	NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 340W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1.09" L x 1.56" W x 1.36" H (27.7mm x 39.6mm x 34.5mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,86mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15900 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	340W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	3.15" L x 4.92" W x 3.15" H (80.0mm x 125.0mm x 80.0mm)
Boîtier	8-PowerTDFN