Name: SCT3060ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3060ALGC11-ND
Price: 15.828 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT3060ALGC11
Numéro de produit DigiKey	SCT3060ALGC11-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT3060ALGC11
Description	SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 39 A (Tc) 165W (Tc) Trou traversant TO-247N
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	39 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	78mohms à 13A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 6,67mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	58 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	852 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	165W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247N
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCT3060

Prix unitaire sans TVA:	13,19000 €
Prix unitaire avec TVA:	15,82800 €

SCT3060ALGC11