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TO-247-3
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TO-247-3
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT3080ALGC11

Numéro de produit DigiKey
SCT3080ALGC11-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
SCT3080ALGC11
Description
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 30 A (Tc) 134W (Tc) Trou traversant TO-247N
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
104mohms à 10A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
571 pF @ 500 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
134W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247N
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT3080
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
16,08000 €6,08 €
305,34900 €160,47 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:6,08000 €
Prix unitaire avec TVA:7,29600 €