Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 10.08 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT3120ALGC11
Numéro de produit DigiKey	SCT3120ALGC11-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SCT3120ALGC11
Description	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Trou traversant TO-247N
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT3120ALGC11 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	156mohms à 6,7A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 3,33mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	460 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	103W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247N
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCT3120

Prix unitaire sans TVA:	8,40000 €
Prix unitaire avec TVA:	10,08000 €

SCT3120ALGC11