Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 3.216 EUR
Availability: OutOfStock

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Prix unitaire : 1,13000 €

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SH8J66TB1
Numéro de produit DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Bande et bobine SH8J66TB1CT-ND - Bande coupée (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SH8J66TB1
Description	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 9A 2W Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SH8J66TB1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9A
Rds On (max.) à Id, Vgs	18,5mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3000pF à 10V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOP
Numéro de produit de base	SH8J66