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SH8K10SGZETB est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SH8K10SGZETB | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SH8K10SGZETBTR-ND - Bande et bobine SH8K10SGZETBCT-ND - Bande coupée (CT) SH8K10SGZETBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SH8K10SGZETB |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 7A (Ta), 8,5A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Rohm Semiconductor | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 7A (Ta), 8,5A (Ta) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 24mohms à 7A, 10V, 19,6mohms à 8,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 16,8nC à 5V, 17,8nC à 5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 660pF à 10V, 830pF à 10V | |
Puissance - Max. | 1,4W (Ta) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOP | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
France