Name: SH8K25GZ0TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8K25GZ0TBTR-ND
Price: 0.936 EUR
Availability: OutOfStock

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SH8K25GZ0TB
Numéro de produit DigiKey	SH8K25GZ0TBTR-ND - Bande et bobine SH8K25GZ0TBCT-ND - Bande coupée (CT) SH8K25GZ0TBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SH8K25GZ0TB
Description	MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOP
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 5,2 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,2 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	85mohms à 5,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1,7nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	100pF à 10V
Puissance - Max.	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOP
Numéro de produit de base	SH8K25

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine