Name: SH8M51GZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8M51GZETBTR-ND
Price: 1.728 EUR
Availability: OutOfStock

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SH8M51GZETB
Numéro de produit DigiKey	SH8M51GZETBTR-ND - Bande et bobine SH8M51GZETBCT-ND - Bande coupée (CT) SH8M51GZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SH8M51GZETB
Description	MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOP
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 3 A (Ta), 2,5 A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta), 2,5 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	170mohms à 3A, 10V, 290mohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8,5nC à 5V, 12,5nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	610pF à 25V, 1550pF à 25V
Puissance - Max.	1,4W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOP
Numéro de produit de base	SH8M51