SP8M10FRATB Rohm Semiconductor | Produits semi-conducteurs discrets

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Rohm Semiconductor

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SP8M10FRATB
Numéro de produit DigiKey	846-SP8M10FRATBTR-ND - Bande et bobine 846-SP8M10FRATBCT-ND - Bande coupée (CT) 846-SP8M10FRATBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SP8M10FRATB
Description	MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 7A (Ta), 4,5A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique, attaque 4V
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7A (Ta), 4,5A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 7A, 10V, 56mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8,4nC à 5V, 8,5nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600pF à 10V, 850pF à 10V
Puissance - Max.	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOP
Numéro de produit de base	SP8M10

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Devis du fabricant requis

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