
GCMX005A120S3B1-N | |
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Numéro de produit DigiKey | 1560-GCMX005A120S3B1-N-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GCMX005A120S3B1-N |
Description | 1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 3 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1,531kW (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | SemiQ | |
Série | ||
Conditionnement | Boîte | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 424A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 7mohms à 200A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 80mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 901nC à 20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 26400pF à 800V | |
Puissance - Max. | 1,531kW (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | - |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 167,00000 € | 167,00 € |
15 | 155,61933 € | 2 334,29 € |
Prix unitaire sans TVA: | 167,00000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 200,40000 € |