GCMX080A120B2H1P
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GCMX080A120B2H1P

Numéro de produit DigiKey
1560-GCMX080A120B2H1P-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GCMX080A120B2H1P
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
26 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 27 A (Tc) 119W (Tc) Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
SemiQ
Série
-
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (pont complet)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
27 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
100mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
56nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1362pF à 800V
Puissance - Max.
119W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
-
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Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
137,47000 €37,47 €
1028,10900 €281,09 €
10025,88640 €2 588,64 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:37,47000 €
Prix unitaire avec TVA:44,96400 €