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C4D02120E
Wolfspeed, Inc.
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Fiche technique
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TO-252-3
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TO-252-3
GDP03S060C

GP2D010A120C

Numéro de produit DigiKey
1560-1045-5-ND
Fabricant
SemiQ
Numéro de produit du fabricant
GP2D010A120C
Description
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO252
Référence client
Description détaillée
Diode 1200 V 10A Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
SemiQ
Série
Amp+™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 10 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
20 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F
635pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Boîtier fournisseur
TO-252 (DPAK)
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
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