Name: SCT027HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT027HU65G3AG-ND
Price: 8.57152 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT027HU65G3AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCT027HU65G3AG-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT027HU65G3AG
Description	SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 60 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface HU3PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	ECOPACK®
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	39,3mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,2V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60.4 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+18V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1277 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	HU3PAK
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA

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