Name: SCT060HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT060HU75G3AGTR-ND
Price: 13.14 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SCT060HU75G3AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCT060HU75G3AGTR-ND - Bande et bobine 497-SCT060HU75G3AGCT-ND - Bande coupée (CT) 497-SCT060HU75G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT060HU75G3AG
Description	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 30 A (Tc) 185W (Tc) Montage en surface HU3PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT060HU75G3AG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	750 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	78mohms à 15A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	680 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	185W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	HU3PAK
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA