Name: SCTW60N120G2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW60N120G2-ND
Price: 18.288 EUR
Availability: OutOfStock

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SCTW60N120G2
Numéro de produit DigiKey	497-SCTW60N120G2-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTW60N120G2
Description	DISCRETE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 60 A (Tc) 389W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTW60N120G2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (max.)	+18V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1969 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	389W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	HiP247™
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SCTW60